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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features HighVoltage:BVDSS=650V(Min.) LowCrss:Crss=5.6pF(Typ.) Lowgatecharge:Qg=11.2nC(Typ.) LowRDS(on):RDS(on)=3.0Ω(Max.) | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features •HighVoltage:BVDSS=650V(Min.) •LowCrss:Crss=5.6pF(Typ.) •Lowgatecharge:Qg=11.2nC(Typ.) •LowRDS(on):RDS(on)=3.0Ω(Max.) | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
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AdvancedN-ChPowerMOSFET | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
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