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PZU9.1BA-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single Zener diodes; • Non-repetitive peak reverse power dissipation: PZSM ≤ 40 W\n• Total power dissipation: Ptot ≤ 320 mW\n• Tolerance series:• B: approximately ±5 %\n• B1, B2, B3: approximately ±2 %\n\n• Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 36 V (E24 range)\n• Low reverse current IR range\n• Small plastic package suitable for surface-mounted design\n• PZU5.1BA-Q - 10BA-Q: Very low dynamic impedances at low currents, very low leakage current, hard breakdown knee\n• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications\n; General-purpose Zener diodes in a SOD323 (SC-76) very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PZU9.1BA-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-76，SOD-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：PZU9.1BA-Q/SOD323/SOD2	ETC	ETC
PZU9.1BASLASHDG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	ETC	ETC
PZU9.1BL	文件：133.1 Kbytes Page：13 Pages	SingleZenerdiodes	ETC	ETC
PZU9.1BL	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
RD9.1E	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD9.1E	文件：75.04 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD9.1E	文件：346.09 Kbytes Page：5 Pages	500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES •Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. •TheE24seriesisemployedforthe	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RD9.1EAB	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD9.1EB	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

技术参数

Package name：
SOD323
Size (mm)：
1.7 x 1.25 x 0.95
VZ [nom] (V)：
9.055
IZ (mA)：
5
Tolerance +/-：
5%
VZ [max] (V)：
9.55
IF [max] (mA)：
200
VZ [min] (V)：
8.56
Ptot (mW)：
490
PZSM (W)：
40
Tj [max] (°C)：
150
Configuration：
single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PZU9.1BA-Q供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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