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PZTA29

Applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500mA

NPNDarlingtonTransistor •Thisdevicedesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcollectorcurrentsto500mA. •Sourcedfromprocess03.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

PZTA29

NPN Darlington Transistor

Description Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainatcollectorcurrentsto500mA.Sourcedfromprocess03. Features •ThesearePb−FreeDevices

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

PZTA29

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):1.5V(Max)@IC=0.1A APPLICATIONS ·Lowcurrenthighspeedswitchingapplications ·Lowpoweraudioamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

PZTA29

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 0.8A SOT223

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    PZTA29

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-4

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 0.8A SOT223

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-223-4
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原装正品 可含税交易
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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SOT-223
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更多PZTA29供应商 更新时间2025-7-24 8:12:00