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PZTA28

NPN Darlington Transistor

NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03.

文件:122.9 Kbytes 页数:4 Pages

Fairchild

仙童半导体

PZTA28

NPN Darlington Transistor

Description This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from process 03. Features • These are Pb−Free Devices

文件:290.68 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

PZTA28

NPN Darlington Transistor

文件:634.59 Kbytes 页数:15 Pages

Fairchild

仙童半导体

PZTA28

NPN 达林顿晶体管

该器件设计用于要求极高电流增益(电流达500 mA)的应用。 采用工艺03设计。

ONSEMI

安森美半导体

PZTA28

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 0.8A SOT223-4

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    PZTA28

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-4

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 0.8A SOT223-4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PZTA28供应商 更新时间2025-12-9 14:36:00