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PZTA27	文件：44.42 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500mA. • Sourced from process 03. • See MPSA28 for characteristics. 文件：44.42 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
PZTA27	文件：657.94 Kbytes Page：2 Pages	Epitaxial Planar Transistor 文件：657.94 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
PZTA27_15	文件：657.94 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistor 文件：657.94 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
PZTA27	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN DARL 60V 0.8A SOT-223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PZTA27	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 0.8A SOT223-4	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
PZTA27
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN DARL 60V 0.8A SOT223-4

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