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PZTA06	文件：50.38 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:PZTA56. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Mediumpowerswitchingine.g.telephonyandprofessionalcommunication.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PZTA06	文件：149.53 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier Features •Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto300mA. •Sourcedfromprocess12.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
PZTA06	文件：1.52232 Mbytes Page：4 Pages	S OT-223 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandHighCurrent ●GeneralPurposeAmplifierApplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
PZTA06	文件：1.81454 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowVoltageandHighCurrent GeneralPurposeAmplifierApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
PZTA06	文件：654.8 Kbytes Page：15 Pages	NPN General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
PZTA06	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 0.5A SOT223-4	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
PZTA06G-AA3-R	文件：124.7 Kbytes Page：3 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=80V CollectorDissipation:PD=350mW	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

产品属性

产品编号：
PZTA06
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 80V 0.5A SOT223-4

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