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AdvancedMOSFETprocesstechnology | SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司 | SILIKRON | ||
35VN-ChannelMOSFET | Good-Ark GOOD-ARK Electronics | Good-Ark | ||
AdvancedtrenchMOSFETprocesstechnology | SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司 | SILIKRON | ||
NPNSiliconTransistor | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
NPNGeneralPurposeTransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
NPNGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT3906/SST3906/MMST3906 /2N3906. | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
NPNGeneralPurposeTransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalamplifier •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSTN3906 | AUK AUK corp | AUK | ||
NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalamplifier •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSTN3906 | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
NPNSiliconTransistor | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI |
技术参数
- PCM(W):
1
- IC(A):
0.2
- VCBO(V):
60
- VCEO(V):
40
- VEBO(V):
6
- hFE/Min:
100
- hFE/Max:
300
- hFE@VCE(V):
1
- hFE@IC(A):
0.01
- VCE/sat(V):
0.2
- VCE/sat@IC(A):
0.05
- VCE/sat@IB(A):
0.005
- PACKAGE:
SOT-223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SECOS |
2022+ |
SOT-223 |
32500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
SECOS |
2022+ |
SOT-223 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
SECOS |
2022+ |
SOT-223 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
SECOS |
20+ |
SOT-223 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
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SOT-223 |
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SIEMENS/西门子 |
23+ |
SOT89 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
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