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PXP020-20QX	文件：322.77 Kbytes Page：14 Pages	丝印：8AD；Package：SOT8002-1；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm fo 文件：322.77 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PXP020-20QX	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm footprint);	Nexperia 安世	Nexperia
UTG020-20P	文件：880.49 Kbytes Page：33 Pages	The plastic circular connector with metal locking 文件：880.49 Kbytes 页数：33 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
B-020-20-N	文件：98.14 Kbytes Page：1 Pages	SPECIFICATION CONTROL DRAWING 文件：98.14 Kbytes 页数：1 Pages	MACOM	MACOM

技术参数

Package name：
MLPAK33
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
20
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
35.2
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-12.1
QGD [typ] (nC)：
6.2000003
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
19.4
Ptot [max] (W)：
4.2
Qr [typ] (nC)：
10
VGSth [typ] (V)：
-0.9
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1899.9999
Coss [typ] (pF)：
275
Release date：
2021-04-14

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更多PXP020-20QX供应商更新时间2025-12-24 14:01:00

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