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PXP012-30QL	文件：324.09 Kbytes Page：14 Pages	丝印：9AU；Package：SOT8002-1；30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Trench MOSFET technology • MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm f 文件：324.09 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PXP012-30QL	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Trench MOSFET technology\n• MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm footprint);	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN012-30YLC	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) 文件：1.8032 Mbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Package name：
MLPAK33
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
12.8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
17.7
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-15.2
QGD [typ] (nC)：
5.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
14.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
28.900002
Ptot [max] (W)：
4.8
Qr [typ] (nC)：
4
VGSth [typ] (V)：
-1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1400
Coss [typ] (pF)：
170
Release date：
2022-01-19

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深圳市南科功率半导体有限公司	PXP012-30QL	NK/南科功率	2025+	DFN3030-8	3000	国产南科平替供应大量	询价
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更多PXP012-30QL供应商更新时间2026-1-31 10:00:00

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