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PXN8R3-30QL	文件：315.29 Kbytes Page：14 Pages	丝印：9AD；Package：SOT8002-1；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Trench MOSFET technology • Ultra low QG and QGD for high s 文件：315.29 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PXN8R3-30QL	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Trench MOSFET technology\n• Ultra low QG and QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies\n• Superfast switching with soft-recovery\n• Low spiking and ringing for low EMI designs\n• MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm footprint);	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
MLPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
8.3
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
11.1
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
18.3
QGD [typ] (nC)：
1.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
5.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
10.6
Ptot [max] (W)：
4.3
Qr [typ] (nC)：
6
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
760
Coss [typ] (pF)：
270
Release date：
2020-11-02

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PXN8R3-30QL供应商更新时间2025-12-16 14:01:00

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