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PXN6R2-25QL	文件：309.63 Kbytes Page：14 Pages	丝印：9AG；Package：SOT8002-1；25 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT8002)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •TrenchMOSFETtechnology •UltralowQGandQGDforhighs	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PXN6R2-25QL	文件：300 bytes Page：1 Pages	25 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n; • Logic-level compatible\n• Trench MOSFET technology\n• Ultra low QG and QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies\n• Superfast switching with soft-recovery\n• Low spiking and ringing for low EMI designs\n• MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm footprint)\n;	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PY1101F-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	STANLEY LED	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD. 上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）
PY25Q64HA-WXH-IR	文件：0 bytes Page：0 Pages	普冉 WSON8	普冉上传：深圳市稳致电子有限公司	普冉
PZ3216U391-2R0TF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SUNLORD/顺络 1206(3216)	SUNLORD/顺络上传：深圳市佳杰伟业科技有限公司	SUNLORD/顺络

技术参数

Package name：
MLPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
25
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
6.2
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
8.5
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
22.3
QGD [typ] (nC)：
2.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.099999
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
17
Ptot [max] (W)：
4.8
Qr [typ] (nC)：
6
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1200
Coss [typ] (pF)：
430
Release date：
2020-11-02

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更多PXN6R2-25QL供应商更新时间2025-8-2 14:01:00

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