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PXFE211507FC-V1-R2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

PXFE211507FC-V1-R2

参数属性

PXFE211507FC-V1-R2 封装/外壳为H-37248G-4/2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 170 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz
150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH

封装外壳

H-37248G-4/2

文件大小

763.41 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

WOLFSPEED

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 23:00:00

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PXFE211507FC-V1-R2规格书详情

PXFE211507FC-V1-R2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由WOLFSPEED, INC.制造生产的PXFE211507FC-V1-R2晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

描述 Description

The PXFE211507FC is a 170-watt LDMOS FET intended for use in multistandard cellular power amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz

frequency band. Features include input and output matching, high gain

and thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured with

Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent

thermal performance and superior reliability

Features

• Broadband internal input and output matching

• Typical Pulsed CW performance, 2140 MHz, 28 V, single

side, 16 µs, 10 duty cycle, class AB test

- Output power at P1dB = 172 W

- Output power at P3dB = 208 W

- Efficiency at P3dB = 64.4

- Gain = 20.3 dB

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 120 W (CW)

output power

• Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

• Integrated ESD protection

• Low thermal resistance

• Pb-free and RoHS compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PXFE211507FC-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    18dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    170W

  • 封装/外壳:

    H-37248G-4/2

  • 供应商器件封装:

    H-37248G-4/2

  • 描述:

    150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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