PXFC211507SCV1R250XTMA1分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PXFC211507SCV1R250XTMA1
厂商型号

PXFC211507SCV1R250XTMA1

参数属性

PXFC211507SCV1R250XTMA1 封装/外壳为H-37248G-4/2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
IC AMP RF LDMOS

文件大小

201.27 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 17:32:00

PXFC211507SCV1R250XTMA1规格书详情

PXFC211507SCV1R250XTMA1属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的PXFC211507SCV1R250XTMA1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    PXFC211507SCV1R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    20.4dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 封装/外壳:

    H-37248G-4/2

  • 供应商器件封装:

    H-37248G-4/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

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