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PXFE181507FC-V1-R2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PXFE181507FC-V1-R2
厂商型号

PXFE181507FC-V1-R2

参数属性

PXFE181507FC-V1-R2 封装/外壳为H-37248G-4/2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:150W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 175 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz
150W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH

封装外壳

H-37248G-4/2

文件大小

695.27 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
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更新时间

2025-5-19 23:00:00

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PXFE181507FC-V1-R2规格书详情

PXFE181507FC-V1-R2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由WOLFSPEED, INC.制造生产的PXFE181507FC-V1-R2晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

Description

The PXFE181507FC is a 175-watt LDMOS FET intended for use in multistandard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1880 MHz

frequency band. Features include input and output matching, high gain

and thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured with

Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent

thermal performance and superior reliability

Features

• Broadband internal input and output matching

• Typical Pulsed CW performance, 1842 MHz, 28 V, single

side, 16 µs, 10 duty cycle, class AB test

- Output power at P1dB = 175 W

- Output power at P3dB = 222 W

- Efficiency at P3dB = 60

- Gain = 21.3 dB

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 180 W (CW)

output power

• Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

• Integrated ESD protection

• Low thermal resistance

• Pb-free and RoHS compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PXFE181507FC-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    20dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    175W

  • 封装/外壳:

    H-37248G-4/2

  • 供应商器件封装:

    H-37248G-4/2

  • 描述:

    150W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Wolfspeed, Inc.
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