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PXAE213708NB-V1-R2	文件：707.51 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz Description ThePXAE213708NBisa400-watt(P3dB)LDMOSDohertytransistor intendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifier applicationsinthe2110to2200MHzfrequencyband.Features includeinputandoutputmatching,highgainandthermallyenhancedpackagewithearlessflange.M	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
PXAE213708NB-V1-R2	文件：529.64 Kbytes Page：5 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 29 V, 2110 ??2180 MHz	CreeCree, Inc 科锐	Cree
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PXAE213708NB-V1-R2

文件：707.51 Kbytes

Page：8 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz

Description ThePXAE213708NBisa400-watt(P3dB)LDMOSDohertytransistor intendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifier applicationsinthe2110to2200MHzfrequencyband.Features includeinputandoutputmatching,highgainandthermallyenhancedpackagewithearlessflange.M

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

PXAE213708NB-V1-R2

文件：529.64 Kbytes

Page：5 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 29 V, 2110 ??2180 MHz

CreeCree, Inc

科锐

Cree

PXAE213708NB-V1-R2

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：PG-HB2SOF-8-1；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

产品属性

产品编号：
PXAE213708NB-V1-R2
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.11GHz ~ 2.18GHz
增益：
16dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
54W
封装/外壳：
PG-HB2SOF-8-1
供应商器件封装：
PG-HB2SOF-8-1
描述：
SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PXAE213708NB-V1-R2	Wolfspeed, Inc.	24+	PG-HB2SOF-8-1	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市纳睿斯电子科技有限公司	PXAE213708NB-V1-R2	WOLFSPEED	25+		30000	原装现货,支持实单	询价
深圳市达恩科技有限公司	PXAE213708NB-V1-R2	WOLFSPEED	24+	N/A	5150	原装原装原装	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	PXAE263708NB-V1-R2	Wolfspeed	PG-HB2SOF-8-1	22+	600	只做原装,假一罚十价格低。	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	PXAE263708NB-V1-R2	Wolfspeed	25+	Tube	4430	郑重承诺只做原装进口现货	询价
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