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PZU3.0BA/DG	文件：57.95 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinasmallceramicSMDSOD110package. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±2(BZX284-B)and±5(BZX284-C)tolerancerange.Theseriesconsistsof37typeswithnominalworkingvoltagesfrom2.4to75V. FEATURES •Totalpowerdissipati	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU3.0BASLASHDG	文件：57.95 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinasmallceramicSMDSOD110package. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±2%(BZX284-B)and±5%(BZX284-C)tolerancerange.Theseriesconsistsof37typeswithnominalworkingvoltagesfrom2.4to75V. FEATURES •Totalpower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU3.0BL	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
RD3.0E	文件：75.04 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD3.0E	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0E	文件：346.09 Kbytes Page：5 Pages	500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES •Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. •TheE24seriesisemployedforthe	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RD3.0EAB	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0EB	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0ES	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0ES	文件：162.01 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

详细参数

型号：
PVI-3.0-OUTD-US
制造商：
Power-One
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	PVI-3001A	OPVI	2020+	TQFP64	252	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	PVI-3001A	PVI	1716+	?	6500	只做原装进口,假一罚十	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	PVI3121L	IOR	24+	DIP-6	5000	全现原装公司现货	询价

更多PVI-3.0-OUTD-US供应商更新时间2025-7-26 8:22:00

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