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PUMD18

PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 10 k

Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified

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安世安世半导体(中国)有限公司

PUMD18

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PUMD18

Marking:T5;Package:SC-88;NPN/PNP resistor-equipped transistors;

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安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

  • 型号:

    PUMD18

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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更多PUMD18供应商 更新时间2025-7-19 14:50:00