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PTVA127002EV-V1-R0	文件：691.91 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 700 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz Description The PTVA127002EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 1200 to 1400 MHz frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excell 文件：691.91 Kbytes 页数：10 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVA127002EV-V1-R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：H-36275-4；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：IC AMP RF LDMOS H-36275-4	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVS15VZ1USK	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA 原厂	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：深圳市世正电子有限公司	NEXPERIA
PTVS22VS1UR,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA con	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：北京天阳诚业科贸有限公司	NEXPERIA
PTVS24VP1UP	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA SOD128	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：深圳市恒佳微电子有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
PTVA127002EV-V1-R0
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.2GHz ~ 1.4GHz
增益：
16dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
700W
封装/外壳：
H-36275-4
供应商器件封装：
H-36275-4
描述：
IC AMP RF LDMOS H-36275-4

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