首页>PTVA127002EV-V1-R0>规格书详情
PTVA127002EV-V1-R0分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PTVA127002EV-V1-R0 |
参数属性 | PTVA127002EV-V1-R0 封装/外壳为H-36275-4;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS H-36275-4 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 700 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz |
文件大小 |
691.91 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | WOLFSPEED, INC. |
企业简称 |
WOLFSPEED |
中文名称 | WOLFSPEED, INC.官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-13 12:00:00 |
相关芯片规格书
更多- PTVA120501EA-V1-R0
- PTVA120501EA-V1-R2
- PTVA123501EFC
- PTVA123501EFC_15
- PTVA127002EV
- PTVA127002EV_15
- PTVA123501EC
- PTVA127002EV
- PTVA120501EAV1R0
- PTVA120501EAV1R0XTMA1
- PTVA120501EAV1R2
- PTVA123501EFC_16
- PTVA123501EC
- PTVA123501EC
- PTVA123501ECV2R0
- PTVA123501ECV2R0XTMA1
- PTVA123501ECV2R250
- PTVA123501ECV2R250XTMA1
PTVA127002EV-V1-R0规格书详情
Description
The PTVA127002EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier
applications in the 1200 to 1400 MHz frequency band. Features include
high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability.
Features
• Broadband input and output matching
• High gain and efficiency
• Integrated ESD protection
• Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
• Low thermal resistance
• Excellent ruggedness
• Pb-free and RoHS compliant
• Capable of withstanding a 10:1 load mismatch
(all phase angles) at 700 W peak under RF pulse,
300 µS, 10 duty cycle.
PTVA127002EV-V1-R0属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。WOLFSPEED, INC.制造生产的PTVA127002EV-V1-R0晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
PTVA127002EV-V1-R0
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
1.2GHz ~ 1.4GHz
- 增益:
16dB
- 额定电流(安培):
10µA
- 功率 - 输出:
700W
- 封装/外壳:
H-36275-4
- 供应商器件封装:
H-36275-4
- 描述:
IC AMP RF LDMOS H-36275-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | |||
FOQPEZO |
22+ |
LGA |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
FOQPiezoTechnik |
23+ |
NA |
5556 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
询价 | ||
FOQ |
2023+ |
SMD |
1172 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||||
INFINEON |
23+ |
- |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
FOQPIEZOTECHNIK |
2021+ |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
FOQPIEZOT |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FOQPIEZOT |
23+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |