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PTVA127002EV-V1-R0分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTVA127002EV-V1-R0
厂商型号

PTVA127002EV-V1-R0

参数属性

PTVA127002EV-V1-R0 封装/外壳为H-36275-4;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS H-36275-4

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 700 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz
IC AMP RF LDMOS H-36275-4

文件大小

691.91 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
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更新时间

2024-6-13 12:00:00

PTVA127002EV-V1-R0规格书详情

Description

The PTVA127002EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier

applications in the 1200 to 1400 MHz frequency band. Features include

high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange.

Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device

provides excellent thermal performance and superior reliability.

Features

• Broadband input and output matching

• High gain and efficiency

• Integrated ESD protection

• Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

• Low thermal resistance

• Excellent ruggedness

• Pb-free and RoHS compliant

• Capable of withstanding a 10:1 load mismatch

(all phase angles) at 700 W peak under RF pulse,

300 µS, 10 duty cycle.

PTVA127002EV-V1-R0属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。WOLFSPEED, INC.制造生产的PTVA127002EV-V1-R0晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    PTVA127002EV-V1-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    16dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    700W

  • 封装/外壳:

    H-36275-4

  • 供应商器件封装:

    H-36275-4

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS H-36275-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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