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PTRA083818NFV1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Cellular (700 MHz to 1000 MHz) High Power RF LDMOS FET, 275 W, 48 V, 733 - 805 MHz ·Broadband internal input matching\n ·Asymmetrical Doherty design - Main : P 1dB = 165 W Typ - Peak : P 1dB = 250 W Typ\n ·Typical Pulsed CW performance, 805 MHz, 48 V, combined outputs - Output power at P 1dB = 275 W - Efficiency = 59.6% - Gain = 18.6 dB\n ·Capable of handling 10:1;	Infineon 英飞凌	Infineon
PTVS15VZ1USK	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂	NEXPERIA 安世上传：深圳市世正电子有限公司	NEXPERIA
PTVS22VS1UR,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	con	NEXPERIA 安世上传：北京天阳诚业科贸有限公司	NEXPERIA
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PTVS26VU1UPA	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂	NEXPERIA 安世上传：深圳市世正电子有限公司	NEXPERIA

技术参数

Matching ：
Input
Frequency Band min max：
733.0MHz 805.0MHz
P1dB ：
275.0W
Supply Voltage ：
48.0V
Pout ：
81.3W
Gain ：
18.0dB
Test Signal ：
WCDMA

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更多PTRA083818NFV1供应商更新时间2025-12-24 10:19:00

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