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NTST30120CT	文件：140.05 Kbytes Page：9 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RHRG30120	文件：1.742 Mbytes Page：3 Pages	30Ampere,1200VoltSwitchModeSingleFastRecoveryEpitaxialDiode GENERALDESCRIPTION RHRG30120usingthelastestFREDFABprocess(planarpassivationpellet)withultrafastandsoftrecoverycharacteristics. PRODUCTFEATURE ·UltrafastRecoveryTime ·SoftRecoveryCharacteristics ·LowRecoveryLoss ·LowForwardVoltage ·HighSurgeCurrentCapability	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
RHRG30120	文件：243.57 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES •Highjunctiontemperaturecapability •Lowforwardvoltage •Highcurrentcapability •Lowpowerloss,highefficiency •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingpowersupply •Free-Wheelingdiodes •Reverse	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RHRG30120	文件：74.82 Kbytes Page：4 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRG30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RHRG30120	文件：31.8 Kbytes Page：3 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRG30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RHRG30120	文件：372.21 Kbytes Page：2 Pages	HyperfastDiode FEATURES ·Highjunctiontemperaturecapability ·Lowforwardvoltage ·Highcurrentcapability ·Lowpowerloss,highefficiency APPLICATIONS ·Switchingpowersupply ·Free-Wheelingdiodes ·Reversebatteryprotection ·Centertapconfiguration	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RHRG30120CC	文件：32.68 Kbytes Page：3 Pages	30A,1200VHyperfastDualDiode TheRHRG30120CCisahyperfastdualdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RHRP30120	文件：74.96 Kbytes Page：4 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRP30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics.Ithasthehalfrecoverytimeofultrafastdiodesandissiliconnitridepassivatedionimplantedepitaxialplanarconstruction.Thesedevicesareintendedtobeusedasfreewheeling/clampingdiodesanddiodesinavarietyofs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RHRP30120	文件：31.38 Kbytes Page：3 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRP30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RHRP30120	文件：1.84289 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereSwitchModeSingleFastRecoveryEpitaxialDiode PRODUCTFEATURE •UltrafastRecoveryTime •SoftRecoveryCharacteristics •LowRecoveryLoss •LowForwardVoltage •HighSurgeCurrentCapability •LowLeakageCurrent APPLICATION •Freewheeling,Snubber,Clamp •InversionWelder •PFC •PlatingPowerSupply •UltrasonicCleanerand	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
RHRP30120	文件：908.98 Kbytes Page：5 Pages	30A,1200V,HyperfastDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RHRP30120	文件：352.24 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES ·Ultrafastrecoverytime ·PopularTO-220package ·Softrecoverycharacteristics ·Lowforwardvoltage ·Lowleakagecurrent ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SwitchingPowerSupplies ·PowerSwitchingCircuits ·Genera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RHRP30120U	文件：1.72753 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereSwitchModeUltrafastRecoveryEpitaxialDiode PRODUCTFEATURE •UltrafastRecoveryTime •SoftRecoveryCharacteristics •LowRecoveryLoss •LowForwardVoltage •HighSurgeCurrentCapability •LowLeakageCurrent APPLICATION •Freewheeling,Snubber,Clamp •InversionWelder •PFC •PlatingPowerSupply •UltrasonicCleanerand	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
RU30120L	文件：1.86399 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RU30120L	文件：283.34 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU30120M	文件：298.72 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
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RU30120S	文件：329.03 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RUH30120M	文件：1.12052 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RUH30120M	文件：390.94 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS

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