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PTMC210204MDV1	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Power Amplifier ICs Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amplifier, 10 W + 10 W, 28 V, 1805 – 2200 MHz ·On-chip matching for broadband operation\n ·Dual independent outputs, 10 W each \n ·Typical pulsed CW performance, 1990 MHz, 28 V, combined outputs - Output power at P 1dB = 20.9 W - Efficiency = 56% - Gain = 31 dB\n ·Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 20.9 W (CW) output power\n ·Integrat;	Infineon 英飞凌	Infineon
PTN04050CAD	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP4	TI 德州仪器上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	TI
PTN3361BBS	文件：0 bytes Page：0 Pages	VQFN	恩XP 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	恩XP
PTN78060AAH	文件：0 bytes Page：0 Pages		TI 德州仪器上传：深圳市云中傲科技有限公司	TI
PTN78060WAD	文件：0 bytes Page：0 Pages		TI 德州仪器上传：深圳市安富世纪电子有限公司	TI

技术参数

Matching ：
I/O
Frequency Band min max：
1805.0MHz 2200.0MHz
P1dB ：
37.0W
Supply Voltage ：
28.0V
Pout ：
2.5W
Gain ：
30.5dB
Test Signal ：
WCDMA

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