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PTH12010Y	文件：840.17 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES FEATURES • VTT Bus Termination Output (Output Tracks the System VREF) • 15 A Output Current (12 A for 12-V Input) • 3.3-V, 5-V or 12-V Input Voltage • DDR and QDR Compatible • On/Off Inhibit (for VTT Standby) • Undervoltage Lockout • Operating Temperature: –40°C to 85°C • Efficiencies up 文件：840.17 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010Y	文件：776.23 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES 文件：776.23 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010Y	文件：1.07462 Mbytes Page：5 Pages	DC-DC CONVERTERS 文件：1.07462 Mbytes 页数：5 Pages	EMERSON-NETWORKPOWER 艾默生	EMERSON-NETWORKPOWER
PTH12010YAH	文件：840.17 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES FEATURES • VTT Bus Termination Output (Output Tracks the System VREF) • 15 A Output Current (12 A for 12-V Input) • 3.3-V, 5-V or 12-V Input Voltage • DDR and QDR Compatible • On/Off Inhibit (for VTT Standby) • Undervoltage Lockout • Operating Temperature: –40°C to 85°C • Efficiencies up 文件：840.17 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010YAS	文件：840.17 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES FEATURES • VTT Bus Termination Output (Output Tracks the System VREF) • 15 A Output Current (12 A for 12-V Input) • 3.3-V, 5-V or 12-V Input Voltage • DDR and QDR Compatible • On/Off Inhibit (for VTT Standby) • Undervoltage Lockout • Operating Temperature: –40°C to 85°C • Efficiencies up 文件：840.17 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010YAST	文件：840.17 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES FEATURES • VTT Bus Termination Output (Output Tracks the System VREF) • 15 A Output Current (12 A for 12-V Input) • 3.3-V, 5-V or 12-V Input Voltage • DDR and QDR Compatible • On/Off Inhibit (for VTT Standby) • Undervoltage Lockout • Operating Temperature: –40°C to 85°C • Efficiencies up 文件：840.17 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010YAST.B	文件：840.17 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES FEATURES • VTT Bus Termination Output (Output Tracks the System VREF) • 15 A Output Current (12 A for 12-V Input) • 3.3-V, 5-V or 12-V Input Voltage • DDR and QDR Compatible • On/Off Inhibit (for VTT Standby) • Undervoltage Lockout • Operating Temperature: –40°C to 85°C • Efficiencies up 文件：840.17 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010YAZ	文件：840.17 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES FEATURES • VTT Bus Termination Output (Output Tracks the System VREF) • 15 A Output Current (12 A for 12-V Input) • 3.3-V, 5-V or 12-V Input Voltage • DDR and QDR Compatible • On/Off Inhibit (for VTT Standby) • Undervoltage Lockout • Operating Temperature: –40°C to 85°C • Efficiencies up 文件：840.17 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010YAZ.B	文件：840.17 Kbytes Page：18 Pages	15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES FEATURES • VTT Bus Termination Output (Output Tracks the System VREF) • 15 A Output Current (12 A for 12-V Input) • 3.3-V, 5-V or 12-V Input Voltage • DDR and QDR Compatible • On/Off Inhibit (for VTT Standby) • Undervoltage Lockout • Operating Temperature: –40°C to 85°C • Efficiencies up 文件：840.17 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
PTH12010YAD	文件：1.07462 Mbytes Page：5 Pages	DC-DC CONVERTERS 文件：1.07462 Mbytes 页数：5 Pages	EMERSON-NETWORKPOWER 艾默生	EMERSON-NETWORKPOWER

技术参数

Vin (Min) (V)：
10.8
Vin (Max) (V)：
13.2
Vout (Min) (V)：
0.55
Vout (Max) (V)：
1.8
Features：
Overcurrent protection
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Iq (Typ) (uA)：
10000
Regulated outputs (#)：
1
Switching frequency (Max) (kHz)：
300
Switching frequency (Min) (kHz)：
200

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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