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PTFC270101M分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTFC270101M
厂商型号

PTFC270101M

参数属性

PTFC270101M 封装/外壳为10-LDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RFP-LD10M

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz
RFP-LD10M

封装外壳

10-LDFN 裸露焊盘

文件大小

933.41 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 21:28:00

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PTFC270101M规格书详情

PTFC270101M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由WOLFSPEED, INC.制造生产的PTFC270101M晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

描述 Description

The PTFC270101M is an unmatched 10-watt LDMOS FET suitable

for power amplifier applications with frequencies from 900 MHz to

2700 MHz. This LDMOS transistor offers excellent gain, efficiency

and linearity performance in a small overmolded plastic package

特性 Features

• Unmatched input and output

• Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V

- Output power @ P1dB = 10 W

- Gain = 20 dB

- Efficiency = 60

• Typical two-carrier WCDMA performance, 2170 MHz, 28

V, 8 dB PAR

- Output power = 1.3 W avg

- Gain = 21 dB

- Efficiency = 21

- ACPR = –44.9 dBc @ 5 MHz

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW)

output power

• Integrated ESD protection

• Pb-free and RoHS compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PTFC270101M-V1-R1K

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.17GHz

  • 增益:

    20.5dB

  • 功率 - 输出:

    2.4W

  • 封装/外壳:

    10-LDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    PG-SON-10

  • 描述:

    RFP-LD10M

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