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PTFC270101M分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PTFC270101M |
参数属性 | PTFC270101M 封装/外壳为10-LDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RFP-LD10M |
功能描述 | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz |
封装外壳 | 10-LDFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
933.41 Kbytes |
页面数量 |
22 页 |
生产厂商 | WOLFSPEED, INC. |
企业简称 |
WOLFSPEED |
中文名称 | WOLFSPEED, INC.官网 |
原厂标识 | WOLFSPEED |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 21:28:00 |
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PTFC270101M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由WOLFSPEED, INC.制造生产的PTFC270101M晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
描述 Description
The PTFC270101M is an unmatched 10-watt LDMOS FET suitable
for power amplifier applications with frequencies from 900 MHz to
2700 MHz. This LDMOS transistor offers excellent gain, efficiency
and linearity performance in a small overmolded plastic package
特性 Features
• Unmatched input and output
• Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V
- Output power @ P1dB = 10 W
- Gain = 20 dB
- Efficiency = 60
• Typical two-carrier WCDMA performance, 2170 MHz, 28
V, 8 dB PAR
- Output power = 1.3 W avg
- Gain = 21 dB
- Efficiency = 21
- ACPR = –44.9 dBc @ 5 MHz
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW)
output power
• Integrated ESD protection
• Pb-free and RoHS compliant
产品属性
更多- 产品编号:
PTFC270101M-V1-R1K
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
20.5dB
- 功率 - 输出:
2.4W
- 封装/外壳:
10-LDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
PG-SON-10
- 描述:
RFP-LD10M
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
20+ |
原装 |
65790 |
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询价 | ||
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INFINEON |
23+ |
INFINEON |
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Infineon |
21+ |
- |
18 |
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Wolfspeed Inc. |
25+ |
10-LDFN 裸露焊盘 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
PG-SON-10 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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