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PTFC262808SV分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTFC262808SV
厂商型号

PTFC262808SV

参数属性

PTFC262808SV 封装/外壳为H-37275G-6/2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 280 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz
IC AMP RF LDMOS

封装外壳

H-37275G-6/2

文件大小

180.44 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

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数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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PTFC262808SV规格书详情

PTFC262808SV属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的PTFC262808SV晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PTFC262808SVV1R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    2.62GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    19.5dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    56W

  • 封装/外壳:

    H-37275G-6/2

  • 供应商器件封装:

    H-37275G-6/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

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