PTFC262808SVV1R250数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

High Power RF LDMOS FET, 280 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz

特性 Features

·Broadband internal matching
·Low thermal resistance
·Typical CW pulsed performance, 2620 MHz, 28 V - 280 W (P1dB) output power - 52% efficiency - 18 dB gain
·Typical 1-carrier WCDMA performance, 2655 MHz, 28 V - 56 W avg. output power - 24% efficiency - 18.0 dB
·RoHS-compliant
·Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1C (per JESD22-A114)
·Capable of handling 10:1 VSWR at 28 V, 280 W (CW) output power RF

简介

PTFC262808SVV1R250属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFC262808SVV1R250晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。