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PTFC262808SV中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 280 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFC262808SV |
| 参数属性 | PTFC262808SV 封装/外壳为H-37275G-6/2；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 280 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz |
| 封装外壳 | H-37275G-6/2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PTFC262808SV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFC262808SV规格书详情
简介
PTFC262808SV属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFC262808SV晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFC262808SVV1R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
19.5dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
56W
- 封装/外壳：
H-37275G-6/2
- 供应商器件封装：
H-37275G-6/2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
18250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
QFN |
3900 |
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询价 | ||
INFINEON |
24+ |
QFN |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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INFINEON |
23+ |
INFINEON |
28520 |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
QFN |
5000 |
全新原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
17+ |
QFN |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
QFN |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
QFN |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
INFIENON |
SON |
6800 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
