| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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10年
留言
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INFINEONNA |
28520 |
23+ |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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10年
留言
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INFINEONN/A |
8500 |
24+ |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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11年
留言
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INFINEOSMD |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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3年
留言
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INFINEONN/A |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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16年
留言
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Infineon原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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6年
留言
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INFINEON高频管 |
516 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌H-34288-42 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
250 |
21+ |
原装现货,假一罚十 |
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14年
留言
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RFPOWERTO-59 |
59 |
24+ |
价格优势 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌H-34288-42 |
1200 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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18年
留言
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INFINEONH-34288-42 |
1427 |
12+ |
全新 发货1-2天 |
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6年
留言
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ADI |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌H-34288-42 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌H-34288-42 |
1420 |
23+ |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌H-34288-42 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌H-34288-42 |
1200 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
PTFB212503FL采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PTFB212503FL图片
PTFB212503FL中文资料Alldatasheet PDF
更多PTFB212503FL制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110-2170 MHz
PTFB212503FL V1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB212503FL V1 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB212503FL V2功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB212503FL V2 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB212503FLV2R250XTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 34288-4/2 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS 9 - Tape and Reel
PTFB212503FLV2XWSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 34288-4/2 Tray 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS 9 - Trays
































