Cellular (2000 MHz to 2200 MHz)

High Power RF LDMOS FET, 150 W, 30 V, 2110 – 2170 MHz ·Broadband internal matching\n ·Typical single-carrier WCDMA performance at 2170 MHz, 30 V, IDQ = 1.2 A, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF - Average output power = 40 W - Linear Gain = 18 dB - Efficiency = 32% - Adjacent channel power = –34 dBc\n ·Typical;

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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IC AMP RF LDMOS H-37248-2

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FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2

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Package：2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：IC AMP RF LDMOS H-37248-2

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Package：2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2

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