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PTFB201402FC	文件：595.53 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 28 V, 2010 - 2025 MHz Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithWolfspeed’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	CreeCree, Inc 科锐科锐半导体制造商	Cree
PTFB201402FC	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTFB201402FCV1R0	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTFB201402FCV1R0XTMA1	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTFB201402FCV1R250	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTFB201402FCV1R250XTMA1	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTFB201402FC-V1-R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：H-37248-4 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：140W, SI LDMOS, 28V, 2010-2025MH	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
PTFB201402FC-V1-R250	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：H-37248-4 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：IC AMP RF LDMOS	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
A201402CAAB	文件：1.88296 Mbytes Page：6 Pages	SingleRowTerminalBlocks	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
A201402WRAB	文件：1.88296 Mbytes Page：6 Pages	SingleRowTerminalBlocks	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
T201402	文件：31.76 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSINMM[INCH]	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH

详细参数

型号：
PTFB201402F
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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