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PTFA191001E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA191001E |
| 参数属性 | PTFA191001E 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1930-1990 MHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-16 18:10:00 |
| 人工找货 | PTFA191001E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA191001E规格书详情
简介
PTFA191001E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA191001E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFA191001EV4XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
1.96GHz
- 增益：
17dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
44dBm
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线
- 供应商器件封装：
H-36248-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
高频管 |
500 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
英飞凌 |
24+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
INF |
24+ |
17 |
询价 | ||||
Infineon |
20+ |
高频管 |
29516 |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 |
