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PTFA091201F 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 INFINEON/英飞凌

PTFA091201F参考图片

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1000+
  • 厂家型号:

    PTFA091201F

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    INFINEON/英飞凌

  • 库存数量:

    18800

  • 产品封装:

    TO-59.高频管

  • 生产批号:

    24+25+/26+27+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-5-24 16:16:00

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原厂料号:PTFA091201F品牌:INFINEON-英飞凌

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PTFA091201F是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商INFINEON-英飞凌/Infineon Technologies生产封装TO-59.高频管/2-扁平封装,叶片引线,带法兰的PTFA091201F晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    PTFA091201F

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 内容页数:

    10 页

  • 文件大小:

    8758.84 kb

  • 资料说明:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    PTFA091201FV4XWSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    960MHz

  • 增益:

    19dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    110W

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线,带法兰

  • 供应商器件封装:

    H-37248-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

供应商

  • 企业:

    深圳市惊羽科技有限公司

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