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PTF210101M中文资料High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 – 2170 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTF210101M |
| 参数属性 | PTF210101M 封装/外壳为10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
| 功能描述 | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 – 2170 MHz |
| 封装外壳 | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 16:31:00 |
| 人工找货 | PTF210101M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTF210101M规格书详情
简介
PTF210101M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTF210101M晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTF210101M V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GOLDMOS®
- 包装：
带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.17GHz
- 增益：
15dB
- 额定电流（安培）：
1µA
- 功率 - 输出：
10W
- 封装/外壳：
10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商器件封装：
PG-RFP-10
- 描述：
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
高频管 |
1050 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
原厂封装 |
7936 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
18 |
询价 | ||||
INFINEON |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
RFP10 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
PG-RFP-10 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
05/06+ |
1426 |
全新原装100真实现货供应 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 |
