首页>PTF210101M>规格书详情
PTF210101M数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
PTF210101M |
参数属性 | PTF210101M 封装/外壳为10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
功能描述 | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 – 2170 MHz |
封装外壳 | 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 17:30:00 |
人工找货 | PTF210101M价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PTF210101M规格书详情
简介
PTF210101M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTF210101M晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
PTF210101M V1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 系列:
GOLDMOS®
- 包装:
带
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
15dB
- 额定电流(安培):
1µA
- 功率 - 输出:
10W
- 封装/外壳:
10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:
PG-RFP-10
- 描述:
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Tyco/泰科 |
1736+ |
DIP |
8529 |
专营继电器只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
TYCO/泰科 |
23+ |
DIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
INFINEON |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
25+ |
10-TFSOP 10-MSOP(0.118 3.00 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
高频管 |
1050 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
RFP10 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON |
05/06+ |
1426 |
全新原装100真实现货供应 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
18 |
询价 | ||||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |