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PTF210101M数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

PTF210101M

参数属性

PTF210101M 封装/外壳为10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 – 2170 MHz
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

封装外壳

10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:30:00

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PTF210101M规格书详情

简介

PTF210101M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTF210101M晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    PTF210101M V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    GOLDMOS®

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.17GHz

  • 增益:

    15dB

  • 额定电流(安培):

    1µA

  • 功率 - 输出:

    10W

  • 封装/外壳:

    10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    PG-RFP-10

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

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