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PTF141501E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTF141501E |
| 参数属性 | PTF141501E 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 1450-1500 MHz, 1600-1700 MHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 16:31:00 |
| 人工找货 | PTF141501E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTF141501E规格书详情
简介
PTF141501E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTF141501E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTF141501E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GOLDMOS®
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
1.5GHz
- 增益：
16.5dB
- 额定电流（安培）：
1µA
- 功率 - 输出：
150W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线
- 供应商器件封装：
H-30260-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
插座 |
23+ |
继电器 |
9896 |
询价 | |||
OMRON/欧姆龙 |
2508+ |
/ |
220083 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
6 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | ||||
Omron Automation and Safety |
23+ |
原厂封装 |
436 |
现货常备产品原装 |
询价 | ||
INFINEON |
2010+ |
TO-63 |
6000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
OmronAutomation |
新 |
99 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
LNFINEON |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H302602 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INF |
24+ |
4 |
询价 | ||||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 |
