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PT8205	文件：2.43337 Mbytes Page：3 Pages	20 V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：2.43337 Mbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
PT8205	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
PT8205	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOS场效应管	Puolop 迪浦	Puolop
PT8205A	文件：2.15216 Mbytes Page：3 Pages	20 V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：2.15216 Mbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
PT8205+TSSOP8	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压N沟道增强型场效应管	Puolop 迪浦	Puolop

技术参数

工艺：
沟槽型
沟道类型：
双N
防静电ESD：
否
漏源耐压Vds(V)：
16.000
栅源耐压Vgs(V)：
±10
阈值电压Vth(V)TYP：
0.750
电流ID(A)：
7.000
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V：
0
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V：
11Typ.
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V：
14Typ.
规格书：
0

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更多PT8205供应商更新时间2026-1-17 20:25:00

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