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PT4953	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
RCR4953SQ	文件：1.05501 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05501 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RM4953	文件：205.33 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：205.33 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
RSM4953BDY	文件：1.05503 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05503 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

工艺：
沟槽型
沟道类型：
双P
防静电ESD：
否
漏源耐压Vds(V)：
-30.000
栅源耐压Vgs(V)：
±20
阈值电压Vth(V)TYP：
-1.600
电流ID(A)：
-5.300
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V：
60
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V：
90
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=2.5V：
0
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V：
0
规格书：
PDF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PT4953供应商更新时间2026-4-17 15:01:00

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