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PT2101C

沟槽型功率场效应管

HTSEMI

金誉半导体

PTAF-210-B

Plug-in Signal Conditioners M-UNIT

文件:107.21 Kbytes 页数:3 Pages

MSYSTEM

爱模

PTAF-210-BSLASHQ

Plug-in Signal Conditioners M-UNIT

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MSYSTEM

爱模

PTAF-210-C

Plug-in Signal Conditioners M-UNIT

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MSYSTEM

爱模

技术参数

  • 工艺:

    沟槽型

  • 沟道类型:

    单P

  • 防静电ESD:

  • 漏源耐压Vds(V):

    -20.000

  • 栅源耐压Vgs(V):

    ±12

  • 阈值电压Vth(V)TYP:

    -0.600

  • 电流ID(A):

    -1.500

  • 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V:

    0

  • 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V:

    100

  • 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=2.5V:

    130

  • 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V:

    200

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更多PT210供应商 更新时间2026-4-17 15:33:00