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S9013	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. •Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) •HighCollectorCurrent.(IC=500mA) •ComplementarytoSS9012 •ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
S9013	文件：230.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
S9013	文件：593.19 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoS9012 ●ExcellenthFElinearity	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
S9013	文件：124.21 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE ComplementarytoS9012 ExcellenthFElinearity	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
S9013	文件：304.68 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
S9013	文件：752.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Features •HighCollectorCurrent.(IC=500mA） •ComplementaryToS9012. •ExcellentHFELinearity. •Powerdissipation.(PC=300mW)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
S9013	文件：815.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCollectorCurrent. ●ComplementarytoS9012. ●ExcellenthFELinearity.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
S9013	文件：245.93 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
S9013	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
S9013	文件：328.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications.Especially suitableforAF-driverstagesandlowpoweroutput stages. Thetransistorissubdividedintothreegroups,G, HandI,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypethePNPtransistor9012	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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