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PSMNR67-30YLE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode ASFET with enhanced SOA in LFPAK56E package optimized for low RDSon and strong safe operating area optimized for hot-swap, inrush and linear-mode applications.
特性 Features
• Fully optimized Safe Operating Area (SOA) for superior linear mode operation
• Optimized for low RDSon / low I2R conduction losses
• LFPAK56E package for applications that demand the highest performance and reliability in a 30 mm2 footprint
• Low leakage < 1 µA at 25 °C
• Copper-clip for low parasitic inductance and resistance
• High reliability LFPAK package, qualified to 175 °C
应用 Application
• Hot swap in 12 V-20 V applications
• e-Fuse
• DC switch
• Load switch
• Battery protection
技术参数
- 制造商编号
：PSMNR67-30YLE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：LFPAK56E; Power-SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：0.7
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：365
- QGD [typ] (nC)
：13
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：52
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：112
- Ptot [max] (W)
：333
- Qr [typ] (nC)
：42
- VGSth [typ] (V)
：1.79
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：8278
- Coss [typ] (pF)
：2570
- Release date
：2022-05-05
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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恩XP |
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恩XP |
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NEXPERIA |
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NEXPERIA |
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恩XP |
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