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PSMNR58-30YLH中文资料N-channel 30 V, 0.67 mΩ, 380 A logic level MOSFET in LFPAK56E using NextPowerS3 technology数据手册Nexperia规格书
PSMNR58-30YLH规格书详情
描述 Description
Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56E package optimized for low RDSon. Low IDSS leakage even when hot, high efficiency and high current rated to 380 A, optimized for DC load switch and hot-swap applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested at I(AS) = 190 A
• Optimized for low RDSon
• Low leakage < 1 µA at 25 °C
• Low spiking and ringing for low EMI designs
• Optimized for 4.5 V gate drive
• Copper-clip for low parasitic inductance and resistance
• High reliability LFPAK package, qualified to 175 °C
• Wave solderable; exposed leads for optimal solder coverage and visual solder inspection
应用 Application
• Hot swap
• e-Fuse
• Power OR-ing
• DC switch / Load switch
• Battery protection
• Brushed and BLDC (brushless) motor control
• Synchronous rectification in AC-DC and DC-DC applications
技术参数
- 制造商编号
：PSMNR58-30YLH
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：LFPAK56E; Power-SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：0.66999996
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：0.9
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：380
- QGD [typ] (nC)
：19
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：55
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：114
- Ptot [max] (W)
：333
- Qr [typ] (nC)
：59.999996
- VGSth [typ] (V)
：1.62
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：6912
- Coss [typ] (pF)
：3621
- Release date
：2018-02-12
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