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PSMN8R7-80PS	文件：816.86 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinTO-220packagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconductionl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN8R7-80PS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220; • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for standard level gate drive\n; Standard level N-channel MOSFET in TO-220 package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
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PSMN8R7-80PS

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N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinTO-220packagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconductionl

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PSMN8R7-80PS

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N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220; • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for standard level gate drive\n;

Standard level N-channel MOSFET in TO-220 package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.\n

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技术参数

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
80
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
8.7
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
90
Q_GD [typ] (nC)：
11
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
52
P_tot [max] (W)：
170
Q_r [typ] (nC)：
66
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
3346
C_oss [typ] (pF)：
296
Date：
2011-01-26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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