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PSMN8R7-100YSF	文件：298.69 Kbytes Page：15 Pages	丝印：8F7S10；Package：LFPAK56；NextPower 100 V, 9 m廓 N-channel MOSFET in LFPAK56package 文件：298.69 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN8R7-100YSFX	文件：298.69 Kbytes Page：15 Pages	NextPower 100 V, 9 m廓 N-channel MOSFET in LFPAK56package 文件：298.69 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN8R7-100YSF	文件：300 bytes Page：1 Pages	NextPower 100 V, 9 mΩ N-channel MOSFET in LFPAK56 package NextPower 100 V standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for industrial & consumer applications. • Low Qrr for higher efficiency and lower spiking\n• Qualified to 175 °C\n• Low QG x RDSon FOM for high efficiency switching applications\n• Strong avalanche energy rating (Eas)\n• Avalanche rated and 100% tested\n• Ha-free and RoHS compliant LFPAK56 package\n• Wave-solderable LFPAK56 package;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN8R7-100YSFQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
9
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
7.5
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
38.5
P_tot [max] (W)：
198
Q_r [typ] (nC)：
52.6
V_GSth [typ] (V)：
3.1
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2758
C_oss [typ] (pF)：
532
Date：
2017-03-24

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