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PSMN8R0-30YL中文资料安世数据手册PDF规格书

PSMN8R0-30YL
厂商型号

PSMN8R0-30YL

功能描述

N-channel 8.3 mΩ 30 V TrenchMOS logic level FET in LFPAK

文件大小

451.26 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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PSMN8R0-30YL规格书详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

industrial and communications applications.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

and conduction losses

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

Class-D amplifiers

DC-to-DC converters

Motor control

Server power supplies

产品属性

  • 型号:

    PSMN8R0-30YL

  • 功能描述:

    MOSFET N-chnl30V7.9m logic lvl MOSFET in LFPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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