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PSMN7R6-60PS	文件：815.06 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V 7.8 mΩ standard level MOSFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinaTO-220packagequalifiedto175°C.Thisproduct isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsand domesticequipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconduction	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN7R6-60PS	文件：994.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PSMN7R6-60PS	文件：306.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MN7R6-60PS	文件：844.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MN7R6-60PS	文件：372.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=92A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PSMN7R6-60BS	文件：971.9 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V7.8m廓standardlevelMOSFETinD2PAK Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinaD2PAKpackagequalifiedto175°C.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomesticequipment. Featuresandbenefits ■Highefficiencyduetolowswitchingandconductionlosses ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN7R6-60XS	文件：379.12 Kbytes Page：15 Pages	N-channel60V7.8m廓standardlevelMOSFETinTO220F(SOT186A)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PSMN7R6-60PS
功能描述：
MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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