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PSMN7R0-30MLC	文件：1.12526 Mbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 7 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：1.12526 Mbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN7R0-30MLC_15	文件：374.87 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 7 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using 文件：374.87 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PSMN7R0-30MLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Low parasitic inductance and resistance\n• Optimised for 4.5V Gate drive utilising NextPower Superjunction technology\n• Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN7R0-30YL	文件：979.81 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low sw 文件：979.81 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
LFPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
7
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
9
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
67
QGD [typ] (nC)：
2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
17.9
Ptot [max] (W)：
57
Qr [typ] (nC)：
11.900001
VGSth [typ] (V)：
1.75
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1076
Coss [typ] (pF)：
248.00002
Release date：
2012-04-23

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