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PSMN7R0-100ES数据手册恩XP中文资料规格书
技术参数
- 型号:
PSMN7R0-100ES
- 功能描述:
MOSFET Single NChannel 100V 475A 269W 12mOhms
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
2023+ |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
SOT226 |
23+ |
50000 |
授权代理/原厂FAE技术支持 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT226 |
600000 |
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恩XP |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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PHI |
09+ |
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恩XP |
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I2PAK |
25000 |
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恩XP |
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TO262 |
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恩XP |
25+ |
SOT226 |
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恩XP |
2020+ |
TO-262 |
25 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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