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PSMN6R5-80PS	文件：262.85 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 80V 6.9m廓 standard level MOSFET in TO220 Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinTO220packagequalifiedto175°C.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomesticequipment. Featuresandbenefits ■Highefficiencyduetolowswitchingandconductionlosses ■Su	ETC	ETC
PSMN6R5-80PS	文件：823.36 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 80 V 6.9 mΩ standard level MOSFET in TO220 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinTO220packagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconductionlo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN6R5-80PS	文件：372.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PSMN6R5-80BS	文件：977.34 Kbytes Page：14 Pages	N-channel80V6.9mΩstandardlevelMOSFETinD2PAK 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinD2PAKpackagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconductionl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN6R5-80BS	文件：299.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
PSMN6R5-80PS
功能描述：
MOSFET N-CHAN 80V 100A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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