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PSMN4R6-60PS	文件：976.14 Kbytes Page：14 Pages	Marking：PSMN4R6-60PS；Package：SOT78；N-channel 60 V, 4.6 mΩ standard level MOSFET in TO220 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinaTO-220packagequalifiedto175°C.Thisproduct isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsand domesticequipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconductio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN4R6-60PS	文件：371.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PSMN4R6-60PS_15	文件：233.53 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V, 4.6 m廓 standard level MOSFET in TO220	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN4R6-60BS	文件：813.04 Kbytes Page：15 Pages	N-channel60V,4.4mΩstandardlevelMOSFETinD2PAK 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinaD2PAKpackagequalifiedto175°C.Thisproduct isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsand domesticequipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconduction	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN4R6-60BS	文件：216.05 Kbytes Page：15 Pages	N-channel60V,4.4mstandardlevelMOSFETinD2PAK	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PSMN4R6-60PS
功能描述：
MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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