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PSMN4R1-30YLC中文资料安世数据手册PDF规格书
PSMN4R1-30YLC规格书详情
1. General description
Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product
is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and
domestic equipment.
2. Features and benefits
• High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C
• Low parasitic inductance and resistance
• Optimised for 4.5V Gate drive utilising NextPower Superjunction technology
• Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads
3. Applications
• DC-to-DC converters
• Load switching
• Power OR-ing
• Server power supplies
• Sync rectifier
产品属性
- 型号：
PSMN4R1-30YLC
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 4.35mOhms
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT669 |
80000 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT669 |
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Nexperia/安世 |
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SOT669 |
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恩XP |
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NA |
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恩XP |
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SOT669 |
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恩XP |
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LFPAK |
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恩XP |
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SOT669 |
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恩XP |
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SOT-669 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
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6000 |
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询价 |
