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PSMN4R0-30YL	文件：824.07 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein industrialandcommunicationsapplications. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PSMN4R0-30YL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications.\n; • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for logic level gate drive sources\n;	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PSMN4R0-30YL	文件：185.64 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET	恩XP	恩XP
PSMN4R0-30YL	文件：237.46 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET	恩XP	恩XP
PSMN4R0-30YL	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPower MOSFETs	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PSMN4R0-30YL_09	文件：237.46 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET	恩XP	恩XP
PSMN4R0-30YLD	文件：781.76 Kbytes Page：13 Pages	丝印：4D030L；Package：LFPAK56；N-channel 30 V, 4.0 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PSMN4R0-30YLD_15	文件：369.11 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V, 4.0 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
4
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
5.25
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
4.3
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
17.6
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
36.6
P_tot [max] (W)：
69
Q_r [typ] (nC)：
36
V_GSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2090
C_oss [typ] (pF)：
469
Date：
2011-03-10

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更多PSMN4R0-30YL供应商更新时间2025-8-2 13:00:00

技术参数

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